Superficies y Vacío
Preparación del Manuscrito

Empleo de arsénico en el depósito epitaxial de GaAs por la técnica MOVPE.
Arturo Escobosa E.
Sección de Electrónica del Estado Sólido.
Departamento de Ingeniería Eléctrica.
Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del I.P.N.
Av. I.P.N. 2508, 07360 México D.F.
Email: escobosa@mail.cinvestav.mx


La técnica MOVPE para la realización de estructuras de semiconductores compuestos se remonta a la década de los años 60, la idea de utilizar precursores orgánicos para la obtención de diferentes compuestos permitía flexibilizar las restricciones termodinámicas de los métodos empleados en aquella época.

Esta técnica se popularizó para la obtención de compuestos III-V gracias a la flexibilidad que permitía, debido principalmente a sus virtudes en cuanto a control del proceso, pureza y calidad de materiales, y facilidad de crecimiento de heteroestructuras.

Sin embargo una de las principales desventajas de la técnica es la utilización de reactivos muy peligrosos. En particular la arsina (AsH3) es un compuesto extremadamente tóxico, cuyo empleo tiende a ser reemplazado por precursores alternativos.

El presente trabajo muestra los resultados del trabajo de investigación de sustitución de arsina por arsénico elemental. El material obtenido es de alta calidad, aunque más compensado que el obtenido por el método tradicional. Entre sus ventajas están la obtención de películas muy delgadas, la obtención de películas tipo p altamente impurificadas con carbono, o  el depósito de GaAs sobre substratos de silicio.
 


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