Superficies y Vacío
Preparación del Manuscrito

Algunas aplicaciones de a-Si:H y sus aleaciones
Alfonso Torres Jacome
Instituto Nacional de Astrofísica Optica y Electrónica
INAOE
Luis Enrique Erro No. 1, Tonantzintla, Pue., C.P. 72840
email: atorres@inaoep.mx

Los semiconductores amorfos obtenidos mediante la técnica de PECVD ofrecen alta versatilidad al controlarse las propiedades de estos mediante variación de las condiciones de deposito. De esta manera es posible fabricar materiales hechos a la mediada para aplicaciones específicas. Así por ejemplo a-Si:H y sus aleaciones con Ge, C, y N ofrecen entre otras ventajas una variación gradual del ancho de banda óptico  e índice de refracción. Los dispositivos fabricados en estos materiales se consideran una tecnología emergente con nuevas aplicaciones tanto en óptica como en electrónica.
 Debido a la compatibilidad de las técnicas de deposito del a-Si:H y sus aleaciones con el proceso de fabricación de circuitos integrados en base de silicio, estos materiales han sido usados para el desarrollo de detectores con aplicaciones en comunicaciones mediante fibras ópticas, detectores de infrarrojo cercano, transistores bipolares de heterounión y bolómetros de película delgada. En el presente trabajo se muestran algunos resultados obtenidos en el laboratorio de Microelectrónica del INAOE.


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