Semiconductores

16:00-16:30

SO6.I1

 

Semiconductor and metal dispersed nanocomposites and their applications

Pal Umapada

16:30-16:45

SO6.1

Carbon intestitials and carbon site switching in carbon doped GaAs

Mimila-Arroyo J., Bland S. W. and Lusson A.

16:45-17:00

SO6.2

Estudio del Efecto Piezoeléctrico en Pozo Cuánticos Estresados de InxGa1-xAs sobre Substratos (n11) de GaAs Crecidos por MBE

Yee C.M., Santana M., Meléndez-Lira M., Vázquez C. y López M

17:00-17:15

SO6.3

Highly Oriented CdS Films Deposited by an Ammonia-Free Chemical Bath Method

Sotelo-Lerma  M., Ortuño López M.B., Valenzuela-Jáuregui  J.J, Mendoza-Galván A., and Ramírez-Bon R.

17:15-17:30

SO6.4

Study of the Interfacial Quality of n- and p-type InxGa1-xAsySb1-y Epitaxial Layers Grown on GaSb Substrates

Riech I. Mendoza-Alvarez J.G. Cruz-Orea A., Gomez-Herrera M.L., Herrera-Pérez J.L.

17:30-18:00

SO6.I2

 Modos Congelados: un Nuevo Comportamiento de la Dinámica de Redes de Cristales Semiconductores Mixtos Ternarios

Jiménez-Sandoval S.